一种非厄米莫尔谷滤波器

能够产生谷极化电流（valley-polarized current）的谷滤波器是谷电子学中的关键元件，但其实现仍具挑战性。在此，我们提出一种由双层石墨烯构成的谷滤波器，其在两层重叠区域因异质应变而呈现一维莫尔（moiré）图案。当层间存在晶格调制时，由于谷不对称层间耦合，在一层中传播的电子会产生谷依赖的耗散，从而产生谷极化电流。该过程可由有效的非厄米理论描述，其中谷滤波器由谷分辨的非厄米趋肤效应驱动。在较宽参数范围内可实现近 100% 的谷极化，且该谷滤波器功能可通过电学调控。谷滤波器的非厄米拓扑情形确保了对无序和边缘缺陷等缺陷的高容忍度。我们的工作为高效且鲁棒的谷滤波器开辟了新途径，同时显著放宽了严苛的实现要求。