类硅烯内边缘系统中的谷电子学拓扑滤波器
介观与纳米尺度物理
2023-11-27 v1
摘要
具有自旋和谷自由度的内边缘态由于拓扑保护而成为设计无耗散器件的有前途的候选者。内边缘态应用的核心挑战在于产生和调控极化电流。本工作中，我们发现了一种由Bloch波矢失配（BWM）引起的产生完全谷极化和自旋-谷极化电流的新机制。基于此机制，我们设计了一些串联型内边缘滤波器。利用一次BWM，重合态可被分为透射和反射模式，可用作谷或自旋-谷滤波器。特别地，利用两次BWM时，入射电流被完全反射以支持具有指定谷和自旋的关断态，这不同于能隙效应。这些发现为设计谷电子学和自旋-谷电子学提供了新平台。
引用
@article{arxiv.2311.13758,
title = {The valleytronic topological filters in silicene-like inner-edge systems},
author = {Hang Xie and Xiao-Long Lü and Jia-En Yang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2311.13758},
year = {2023}
}
备注
20 pages, 8 figures