应变石墨烯中依赖于谷的布儒斯特角与古斯-汉欣效应
介观与纳米尺度物理
2013-05-29 v4
摘要
我们从理论上证明了如何通过剪裁石墨烯中的局部应变来产生谷极化电流。通过对局部应变分布进行适当的工程化设计，我们发现处于相反谷（K 或 K'）中的电子表现出不同的类布儒斯特角和古斯-汉欣位移，展现出与光传播行为的密切类比。在应变诱导的波导中，K 和 K' 谷中的电子具有不同的群速度，这可用于构建无需任何外场的石墨烯谷过滤器。
引用
@article{arxiv.1008.4858,
title = {Valley-dependent Brewster angles and Goos-Hanchen effect in strained graphene},
author = {Zhenhua Wu and F. Zhai and F. M. Peeters and H. Q. Xu and Kai Chang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1008.4858},
year = {2013}
}
备注
5 pages, 4 figures