单层 MoS2 中谷动力学的飞秒时间分辨克尔旋转光谱
介观与纳米尺度物理
2014-06-12 v3
摘要
单层 MoS 及类似的二硫化物是具有特殊能带结构的直接带隙半导体：其直接带隙位于布里渊区的 K 和 K 点，且具有较大的价带自旋分裂。光学选择定则允许使用近共振圆偏振激发进行谷选择性带间激发。在此，我们展示了时间分辨泵浦 - 探测实验，研究了低温下机械剥离的单层 MoS 薄片中的载流子和谷动力学。在共振激发条件下，我们发现谷寿命超过了光生载流子寿命，表明产生了驻留谷极化。对于高度非共振激发，谷极化在光生载流子寿命内衰减。
引用
@article{arxiv.1404.7674,
title = {Time-resolved Kerr rotation spectroscopy of valley dynamics in single-layer MoS2},
author = {G. Plechinger and P. Nagler and Schüller and T. Korn},
journal= {arXiv preprint arXiv:1404.7674},
year = {2014}
}