与超表面相接的双层异质结构中的层间激子谷电子学
光学
2020-10-28 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
近期提出的利用各向异性真空在过渡金属硫族化物（TMDC）单层中产生谷相干性，拓展了此类谷自由度在谷电子学中的应用潜力。本工作中，我们开辟了一个全新的、单层的 TMDC 无法触及的 regime：在公度 TMDC 双层异质结构的层间激子中自发产生谷相干性。利用层间激子特殊的面外偏振与平面内各向异性电磁真空相结合，我们表明在这些异质结构中 Bloch 球大得多的区域可被触及。我们给出了在此平面内各向异性电磁真空下这些激子可达的相位。我们对层间激子自发相干性的分析，可能为在 Moiré 异质结构中设计相互作用量子发射器阵列铺平道路。
引用
@article{arxiv.1912.12080,
title = {Interlayer Exciton Valleytronics in Bilayer Heterostructures Interfaced with a Metasurface},
author = {Mandar Sohoni and Pankaj K. Jha and Muralidhar Nalabothula and Anshuman Kumar},
journal= {arXiv preprint arXiv:1912.12080},
year = {2020}
}