利用超表面在单层 MoS2 中路由谷激子
介观与纳米尺度物理
2018-01-23 v1 光学
摘要
单层过渡金属硫族化物（TMDs）中的激子在布里渊区边界的 K 与 K' 点形成。它们获得谷自由度，可用作信息传输与处理的互补平台。在另一背景下，由工程化可极化 inclusions 阵列组成的超表面以前所未有的方式实现了光操控，并应用于成像、光学信息处理与隐身。此处我们证明，通过将 MoS2 单层耦合到由非对称沟槽构成的合适设计的超表面，即便在室温下也可对谷极化激子进行分类与空间分离。谷激子的发射也在 K 空间分离，即具有相反螺旋度的光子发射到不同方向。我们的工作表明超表面可促进谷传输，并建立谷电子器件与光子器件之间的接口，从而应对谷电子学这一新兴领域的突出挑战。
引用
@article{arxiv.1801.06543,
title = {Routing Valley Excitons in a Monolayer MoS2 with a Metasurface},
author = {Liuyang Sun and Chun-Yuan Wang and Alexandr Krasnok and Junho Choi and Jinwei Shi and Juan Sebastian Gomez-Diaz and Andre Zepeda and Shangjr Gwo and Chih-Kang Shih and Andrea Alu and Xiaoqin Li},
journal= {arXiv preprint arXiv:1801.06543},
year = {2018}
}