单层半导体中的三子谷相干性
介观与纳米尺度物理
2017-05-24 v1
摘要
新兴的谷电子学领域旨在利用位于布洛赫能带极值附近的电子的谷赝自旋作为信息载体。最近在单层过渡金属硫族化物（TMDs）中展示激子谷相干性（相反谷中电子-空穴对的叠加）的光学生成与操控的实验，为控制这一量子自由度提供了关键步骤。TMDs中的带电激子（三子）由于长的自发复合寿命、鲁棒的谷极化以及其与残余电子自旋的耦合，是控制谷赝自旋的中性激子的引人入胜的替代方案。然而，由于光谱访问的实验挑战，三子谷相干性尚未被探索。在这项工作中，我们采用超快二维相干光谱来共振生成并探测单层MoSe中的三子谷相干性，证明其持续数百飞秒。我们得出结论，限制三子谷相干性的潜在机制与适用于激子谷相干性的机制根本不同。基于这些观察，我们提出了延长二维材料中谷相干时间的可能策略。
引用
@article{arxiv.1611.03388,
title = {Trion Valley Coherence in Monolayer Semiconductors},
author = {Kai Hao and Lixiang Xu and Fengcheng Wu and Philipp Nagler and Kha Tran and Xin Ma and Christian Schüller and Tobias Korn and Allan H. MacDonald and Galan Moody and Xiaoqin Li},
journal= {arXiv preprint arXiv:1611.03388},
year = {2017}
}