单层MoSe$_2$中的谷三重激子动力学
介观与纳米尺度物理
2016-12-13 v1
摘要
称为三重激子(trion)的带电激子在新出现的二维半导体材料的基本谷动力学中起着重要作用。我们使用超快泵浦-探测光谱研究了通过化学气相沉积生长的单层MoSe中的谷三重激子动力学。动力学显示超快三重激子形成随后是非指数衰减。不同泵浦能量下的测量表明，随着激发密度增加，三重激子衰减动力学变慢。观察到的三重激子动力学及相关的密度依赖性是由两个缺陷态的俘获作为主导衰减机制的结果。基于一组速率方程的模拟重现了不同泵浦能量下的实验数据。我们的结果揭示了重要的三重激子动力学，并确定在所用激发密度下单层MoSe中缺陷态俘获是主要的三重激子衰减机制。
引用
@article{arxiv.1604.04190,
title = {Valley Trion Dynamics in Monolayer MoSe$_2$},
author = {Feng Gao and Yongji Gong and Michael Titze and Raybel Almeida and Pulickel M. Ajayan and Hebin Li},
journal= {arXiv preprint arXiv:1604.04190},
year = {2016}
}
备注
16 pages, 4 figures