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铁电氧化物异质结中拓扑相变与自旋谷物理的耦合

强关联电子 2017-02-01 v1 介观与纳米尺度物理

摘要

本文探讨了在具有 ege_g 电子构型的铁电氧化物异质结中调控自旋与谷物理耦合的可能性。我们表明,极性结构畸变诱导了自旋谷耦合性质的出现,同时导致了从量子自旋霍尔绝缘相到平庸能带绝缘体的拓扑相变。自旋谷耦合以非平庸的方式受到拓扑能带反转的影响;虽然导带和价带的谷依赖自旋极化得以保留,但预计Berry曲率和自旋谷选择定则会发生变化,从而导致不同的圆二色性响应以及谷霍尔效应和自旋霍尔效应。

关键词

引用

@article{arxiv.1610.03982,
  title  = {Topological Phase Transition Coupled with Spin-Valley Physics in Ferroelectric Oxide Heterostructures},
  author = {Kunihiko Yamauchi and Paolo Barone and Silvia Picozzi},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1610.03982},
  year   = {2017}
}

备注

8 pages, 7 figures, submitted for publication