过渡金属硫族化合物中的自旋-谷霍尔效应与赝自旋-1 系统：三能带模型方法

过渡金属硫族化合物的能谱主要受 与 轨道影响。这导致了一个以强自旋轨道相互作用为特征的三能带模型。将这些能带投影到两能带模型中进行研究，足以探索电子与光学性质。我们也考察了由自旋-谷陈数导出的拓扑相、自旋-谷霍尔效应。自旋轨道相互作用的引入破缺了反演对称性而保持了时间反演对称性。这导致非零的依赖于自旋-谷的霍尔电导率，其为自旋霍尔与谷霍尔效应的关键。这些现象在传统电子学之外可能有应用，潜在地用于编码量子比特。特别地，高对称点即 K 与 K' 点处的电子可能表现得如同处于具有 与 自旋角动量的赝自旋-1 系统中，导致三重态能级。此类预言或可促成超克莱因隧穿，这可能为拓扑量子计算相关的马约拉纳费米子提供见解。