自旋-谷耦合单层过渡金属二硫族化合物中的自旋霍尔效应
介观与纳米尺度物理
2013-09-20 v2
摘要
我们研究了自旋-谷耦合单层过渡金属二硫族化合物中的本征和外在自旋霍尔效应。我们发现，虽然斜散射贡献被大带隙抑制，但在存在标量散射和磁散射的情况下，侧跳贡献与本征贡献相当且符号相反。谷间散射由于相干性损失而倾向于抑制侧跳贡献。通过调节谷内散射与谷间散射的比例，空穴掺杂样品中的自旋霍尔电导率表现出符号变化。考虑了其他掺杂区间的多带效应，发现符号变化存在于重空穴掺杂区间，但不存在于电子掺杂区间。
引用
@article{arxiv.1305.5633,
title = {Spin Hall effect in spin-valley coupled monolayer transition-metal dichalcogenides},
author = {Wen-Yu Shan and Hai-Zhou Lu and Di Xiao},
journal= {arXiv preprint arXiv:1305.5633},
year = {2013}
}