单层过渡金属二硫族化物中的谷 Edelstein 效应
介观与纳米尺度物理
2018-08-01 v3
摘要
在本工作中，我们预测了在栅控单层过渡金属二硫族化物中谷 Edelstein 效应（VEE）的出现，这是一种电场诱导的自旋极化效应。我们发现了一种非常规的谷依赖响应，其中自旋极化平行于外加电场，且相反的谷产生相反的自旋极化。这与传统的 Edelstein 效应形成鲜明对比，后者中诱导的自旋极化垂直于外加电场。我们将 VEE 的起源确定为栅控 MTMDs 中共存的 Rashba 和 Ising SOC 引起的传统 Edelstein 效应和谷依赖 Berry 曲率的联合效应。我们还考虑了检测 VEE 的实验方案。
引用
@article{arxiv.1705.08224,
title = {Valley Edelstein Effect in Monolayer Transition Metal Dichalcogenides},
author = {Katsuhisa Taguchi and Benjamin T. Zhou and Yuki Kawaguchi and Yukio Tanaka and K. T. Law},
journal= {arXiv preprint arXiv:1705.08224},
year = {2018}
}
备注
5+7 pages, 5+4 figures ; v3 a detection way of the VEE added