h-BN 封装激活的少层 MoTe$_2$ 中的呼吸模
介观与纳米尺度物理
2020-05-06 v2
摘要
将少层过渡金属硫族化合物（TMDs）封装于六方氮化硼（h-BN）中已知可显著改善其光学与电子性质。然而，由于 h-BN 层具有原子级平坦表面，可以预期 h-BN 封装也可能影响 TMDs 的振动性质。为研究其对少层 TMDs 中层间相互作用的影响，我们探究了双层和三层 MoTe 的低能拉曼散射光谱。令人惊讶的是，与沉积在 SiO/Si 衬底上的薄片仅出现单一呼吸模相比，沉积于 h-BN 上或封装于 h-BN 中的结构在拉曼光谱中观察到三个呼吸模。剪切模不受改变 MoTe 环境的影响。出现的呼吸模结构归因于 MoTe 层与底部 h-BN 薄片之间明显的相互作用。该结构由于前者的高质量表面而变得可见。因此，观察到的呼吸模三重结构源于层间和层-衬底相互作用导致的组合模。我们的结果证实 h-BN 封装会显著影响层状材料的振动性质。
引用
@article{arxiv.1908.10225,
title = {Breathing modes in few-layer MoTe$_2$ activated by h-BN encapsulation},
author = {M. Grzeszczyk and M. R. Molas and M. Bartoš and K. Nogajewski and M. Potemski and A. Babiński},
journal= {arXiv preprint arXiv:1908.10225},
year = {2020}
}
备注
10 pages, 9 figures