薄层 $\gamma$-MoTe$_2$ 中磁电阻抑制的起源
材料科学
2018-07-04 v1
摘要
我们使用经典磁输运和量子振荡测量来研究受氧化保护的极大型磁电阻（XMR）材料兼 II 型 Weyl 半金属候选者 -MoTe 的厚度演化。我们发现磁电阻随厚度减小而被系统性抑制。这与载流子迁移率下降和电空穴不平衡加剧同时发生。我们分别对两种效应建模，并得出结论：XMR 效应对前者更为敏感。
引用
@article{arxiv.1805.07332,
title = {Origin of magnetoresistance suppression in thin $\gamma$-MoTe$_2$},
author = {Shazhou Zhong and Archana Tiwari and George Nichols and Fangchu Chen and Xuan Luo and Yuping Sun and Adam W. Tsen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1805.07332},
year = {2018}
}