长 InSb 纳米线中的非常规磁电阻

研究了嵌入 asbestos 基质中直径约为 5 nm，长度为 0.1 - 1 mm 的 InSb 相关纳米线的磁电阻，温度范围为 2.3 - 300 K。在零磁场下，电导 $G$ 和电流-电压特性遵循一维电子系统预期的功率定律 $G\propto T^\alpha$，$I\propto V^\beta$。磁场效应表现为 $\alpha$，$\beta$ 在 H=10 T 时增加约 20%。观察到的磁电阻由磁场引起的自旋-电荷分离性破坏导致，代表了一种新型的磁电阻机制。