由微磁体产生的杂散场导致的纳米线器件中的滞后磁阻
介观与纳米尺度物理
2020-12-30 v1
摘要
我们研究了由 CoFe 微磁体的杂散磁场导致的 InSb 纳米线中的滞后磁阻。没有任何铁磁成分的器件表明，InSb 纳米线的磁阻通常在零磁场下表现出局部极大值或局部极小值。微条磁体磁化的翻转随后导致正或负的滞后依赖关系，因为电导极大值或极小值相对于全局外场发生了移动。发现杂散场在几十毫特斯拉范围内，与纳米线磁阻发展的尺度相当。我们观察到，杂散场信号与在具有铁磁触点的器件（自旋阀）中获得的信号相似。我们进行了微磁学模拟，与实验结果合理吻合。局部变化磁场的使用可能会为纳米线网络需要在纳米尺度上控制磁场取向的马约拉纳电路带来新的思路。
引用
@article{arxiv.2007.05956,
title = {Hysteretic magnetoresistance in nanowire devices due to stray fields induced by micromagnets},
author = {Y. Jiang and E. J. de Jong and V. van de Sande and S. Gazibegovic and G. Badawy and E. P. A. M. Bakkers and S. M. Frolov},
journal= {arXiv preprint arXiv:2007.05956},
year = {2020}
}
备注
Data and code available on github via https://github.com/frolovgroup/Yifan-Jiang