拓扑绝缘体硋中角度相关 SdH 振荡的研究
材料科学
2024-07-10 v1
摘要
本文考察了在有无自旋轨道耦合（SOC）情况下的能带结构，分析了 Z2 不变量，并探讨了在最高达 10 特斯拉（Tesla）和最低降至 2 开尔文（K）条件下，硋晶体的详细角度相关磁输运。磁性抵抗（MR）随垂直场的依赖呈正值，大小可达约 10^4%。相比之下，纵向（面内）场依赖的 MR 相对较小且为负。还通过在施加横向磁场下的电阻与温度测量，利用玻尔兹曼公式估计了热激活能。利用密度泛函理论计算的 Z2 不变量确认了硋的拓扑性质。PBESol 能带显示平凡特性，而混合函数（HSE）能带显示出硋中存在非平凡的拓扑性质。本文综合性地研究了 MR 振荡随施加场与电流之间夹角的依赖。随着夹角增大，观察到的振荡逐渐消失。本文是我们前期工作 [1] 的延续，其中对硋的结构和微观结构特征以及在施加横向磁场下的输运行为进行了全面分析。
引用
@article{arxiv.2407.06670,
title = {Investigation of Angle dependent SdH oscillations in Topological Insulator Bismuth},
author = {N. K. Karn and Yogesh Kumar and Geet Awana and V. P. S. Awana},
journal= {arXiv preprint arXiv:2407.06670},
year = {2024}
}
备注
18 Pages Text + Figs. Accepted Phsica Status Solidi B