反铁磁层隧穿结的电导振荡
介观与纳米尺度物理
2023-07-05 v3
摘要
我们研究了由反铁磁拓扑绝缘体（如 MnBiTe）构成的反铁磁层隧穿结的电导振荡。在面内磁场存在下，我们发现结两端的微分电导随磁场强度呈振荡变化。值得注意的是，由于散射相位差，奇数层拓扑绝缘体在弱场下的量子干涉区别于偶数层拓扑绝缘体。因此，在整数磁通量子处，偶数层（奇数层）结的微分电导消失（达到最大）。电导振荡体现了层依赖的量子干涉，其中对称性与散射相位起着关键作用。在数值计算中，我们观察到随着结长度增加，量子干涉由类 SQUID 图样演化为类 Fraunhofer 振荡。
引用
@article{arxiv.2304.10363,
title = {Conductance oscillations of antiferromagnetic layer tunnel junctions},
author = {Sang-Jun Choi and Hai-Peng Sun and Björn Trauzettel},
journal= {arXiv preprint arXiv:2304.10363},
year = {2023}
}