GaAs 量子阱中的负纵向磁电阻
介观与纳米尺度物理
2019-01-23 v1 材料科学
摘要
负纵向磁电阻（NLMR）近来在多种拓扑材料中观测到，并常被认为与具有确定手性的 Weyl 费米子相关。本文报道非 Weyl 的 GaAs 量子阱中的 NLMR。无磁场时，该量子阱随温度降低呈现从类半导体到金属行为的转变。我们在转变温度以上观测到高达 9 特斯拉的显著 NLMR，以及在接近转变且低于 5 K 温度的低磁场中的弱 NLMR。观测到的 NLMR 展现出多种磁场行为类型，类似于拓扑材料中所报道者。我们将其归因于微观无序，并采用唯象三电阻模型解释其各种特征。我们的结果展示了微观无序在新奇现象出现中的新贡献，或可激发通过无序/缺陷纳米工程调控电子性质的进一步工作。
引用
@article{arxiv.1810.11751,
title = {Negative longitudinal magnetoresistance in GaAs quantum wells},
author = {Jing Xu and Meng K. Ma and Maksim Sultanov and Zhi-Li Xiao and Yong-Lei Wang and Dafei Jin and Yang-Yang Lyu and Wei Zhang and Loren N. Pfeiffer and Ken W. West and Kirk W. Baldwin and Mansour Shayegan and Wai-Kwong Kwok},
journal= {arXiv preprint arXiv:1810.11751},
year = {2019}
}