磁性掺杂拓扑绝缘体中的对数奇异性与量子振荡
强关联电子
2018-04-17 v4 介观与纳米尺度物理
摘要
我们报道了通过分子束外延生长的磁性掺杂 (Bi,Sb)Te 薄膜的磁输运测量。在霍尔条器件中，纵向电阻和反常霍尔电阻均观察到对温度和偏置电压的对数依赖关系。发现无序与电子-电子相互作用的共同作用可定量解释所观察到的对数奇异性，并且是这些样品中的主要散射机制。亚微米尺度器件在高磁场下表现出随偏置电压变化的引人注目的量子振荡。观察到的量子振荡可归因于体态和表面输运。
引用
@article{arxiv.1711.10675,
title = {Logarithmic singularities and quantum oscillations in magnetically doped topological insulators},
author = {Debaleena Nandi and Inti Sodemann and Kevin Shain and Gil-Ho Lee and Ko-Fan Huang and Cui-Zu Chang and Yunbo Ou and Shu-Ping Lee and Jonathan Ward and Jagadeesh S. Moodera and Philip Kim and Amir Yacoby},
journal= {arXiv preprint arXiv:1711.10675},
year = {2018}
}
备注
10 pages, 13 figures