CeFeAsO中的磁电阻和霍尔效应：高磁场研究
超导电性
2011-05-17 v1
摘要
利用洛斯阿拉莫斯的脉冲磁场设施，我们在高达45T的磁场下同时测量了CeFeAsO的纵向电阻率和横向霍尔电阻率。在跨越约150K的结构相变温度Ts时，磁电阻Rxx(μ0H)和霍尔电阻Rxy(μ0H)均观察到不同的行为。在高于Ts的温度下，观察到很小的磁电阻，且霍尔电阻率遵循线性场依赖关系。当系统冷却至Ts以下时，出现大的磁电阻，且霍尔电阻率偏离线性场依赖关系。此外，我们发现Ts处的相变对外部磁场极其鲁棒。我们认为CeFeAsO中的磁态不太可能是传统的自旋密度波(SDW)类型。
引用
@article{arxiv.1101.3170,
title = {The magnetoresistance and Hall effect in CeFeAsO: a high magnetic field study},
author = {H. Q. Yuan and L. Jiao and J. Singleton and F. F. Balakirev and G. F. Chen and J. L. Luo and N. L. Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1101.3170},
year = {2011}
}
备注
4 pages, 3 figures SCES2010, To appear in J. Phys.: Conf. Ser. for SCES2010