FeSi 的电子结构研究：一个手性拓扑体系
材料科学
2020-06-09 v1 强关联电子
摘要
最近在许多重简并 B20 体系 CoSi 和 RhSi 表面观测到拓扑 Fermi 弧，引起了极大的研究兴趣。尽管另一个同结构体系 FeSi 被预测显示体手性费米子，但无论理论上还是实验上，FeSi 是否在费米能级附近拥有与奇异手性费米子相关的拓扑表面 Fermi 弧仍不清楚。在本文中，我们利用角分辨光电子能谱（ARPES）和密度泛函理论（DFT）给出了 FeSi 的低能电子结构。我们进一步报告了表面态计算，以深入了解 FeSi 在费米能级附近的表面能带结构。与 CoSi 或 RhSi 不同，正如 ARPES 和表面态计算所共同确认的，FeSi 在费米能级附近没有拓扑 Fermi 弧。此外，ARPES 数据显示出自旋轨道耦合（SOC）能带分裂为 40 meV，这与体能带结构计算吻合良好。我们注意到 FeSi 中异常的温度依赖电阻率，这可以通过电子-声子相互作用来理解，因为我们从 ARPES 数据中发现了 80 meV 的德拜能量。
引用
@article{arxiv.1912.04796,
title = {Electronic Structure Studies of FeSi: A Chiral Topological System},
author = {Susmita Changdar and S. Aswartham and Anumita Bose and Y. Kushnirenko and G. Shipunov and N. C. Plumb and M. Shi and Awadhesh Narayan and B. Büchner and S. Thirupathaiah},
journal= {arXiv preprint arXiv:1912.04796},
year = {2020}
}
备注
9 pages, 7 figures