CoSi 的能带结构与非常规电子拓扑
介观与纳米尺度物理
2018-05-30 v4
摘要
具有特定空间群对称性的晶体半金属可能拥有不同于传统 Weyl 和 Dirac 半金属的异常电子结构拓扑。这类材料的特征性质是存在具有多重（高于二重）简并度和非零拓扑荷的能带接触点。CoSi 是这类表现出所谓“新费米子”材料的代表。我们报告了利用密度泛函方法，考虑自旋-轨道相互作用，对 CoSi 电子结构的第一性原理计算。我们证明了在第一布里渊区的 Γ 点和 R 点、费米能级附近存在四重和六重简并的能带接触节点。我们展示了这些能带接触点携带 ±4 的拓扑荷，并描述了连接这些节点在表面布里渊区投影的费米弧表面态。我们还讨论了多体 G₀W₀ 修正对 CoSi 电子能带结构和拓扑性质的影响。
引用
@article{arxiv.1710.07359,
title = {Band structure and unconventional electronic topology of CoSi},
author = {D. A. Pshenay-Severin and Yu. V. Ivanov and A. A. Burkov and A. T. Burkov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1710.07359},
year = {2018}
}
备注
12 pages, 6 figures