拓扑手性半金属CoSi的晶体生长与量子振荡
材料科学
2019-07-17 v1
摘要
我们考察了通过不同方法生长的单晶拓扑手性半金属CoSi的电输运性质。从碲溶液中生长获得了高质量CoSi单晶。样品的高载流子迁移率使我们首次在其热电信号中观察到量子振荡（QOs）。对QOs的分析揭示了布里渊区角R点周围的两个球形费米面。提取的这些电子轨道的Berry相位与DFT计算所报道的-2手性电荷一致。对QOs的详细分析表明，费米能级附近自旋轨道耦合引起的能带分裂小于2 meV，比我们的DFT计算结果小一个数量级。我们还报道了CoSi在中等温度下的声子拖曳引起的大Nernst效应。
引用
@article{arxiv.1904.00630,
title = {Crystal growth and quantum oscillations in the topological chiral semimetal CoSi},
author = {Xitong Xu and Xirui Wang and Tyler A. Cochran and Daniel S. Sanchez and Ilya Belopolski and Guangqiang Wang and Yiyuan Liu and Hung-Ju Tien and Xin Gui and Weiwei Xie and M. Zahid Hasan and Tay-Rong Chang and Shuang Jia},
journal= {arXiv preprint arXiv:1904.00630},
year = {2019}
}