SmBi 中非平凡 Berry 相位与 Kondo 物理的证据
强关联电子
2021-05-26 v1 材料科学
其他凝聚态物理
摘要
具有非平凡拓扑的半金属（如 Dirac 与 Weyl 半金属）的实现，推动了这些量子材料的研究。电子关联的存在因载流子散射增强、Kondo 屏蔽等使系统更为奇异。此处，我们采用多种前沿块体测量研究了单晶 SmBi 的电子性质。磁化数据揭示了两次磁转变：一个奈尔温度约 9 K 的反铁磁序，以及较低温度（= 7 K）下的第二次磁转变。电阻率在低温下呈现 Kondo 系统典型的回升，估计的 Kondo 温度接近奈尔温度。晶体的高质量使我们即使在低磁场下也能在磁化数据中发现量子振荡的迹象。利用朗道能级扇图分析，我们在一个费米囊处识别出非平凡 Berry 相位，揭示了该材料的拓扑特征。这些结果展示了反铁磁态中费米学的一个独特范例，并为通过 Kondo 相互作用、拓扑序与磁性的交织在关联拓扑金属中探索 Dirac 费米子物理开辟了新范式。
引用
@article{arxiv.2012.05459,
title = {Evidence of non-trivial Berry phase and Kondo physics in SmBi},
author = {Anup Pradhan Sakhya and P. L. Paulose and A. Thamizhavel and Kalobaran Maiti},
journal= {arXiv preprint arXiv:2012.05459},
year = {2021}
}