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硅钼晶体中拓扑电子与声子奇异边态

材料科学 2025-07-01 v1

摘要

拥有多线态费米子和玻色子的拓扑材料已成为探索非凡准粒子和传输现象的丰富平台。本文使用第一性原理密度泛函理论和对称性分析,研究了奇异晶体 SiTc 的拓扑电子与声子性质。我们的研究在电子能带结构和声子色散图中识别出多个高简并性和拓扑节点。我们分析了自旋轨道耦合对能带交叉演化的影响,确认了威尔斯点及其相应的手性。计算了表面电子态、费米弧、Berry 曲率分布以及内在自旋霍尔导电率,以探测拓扑响应。在声子方面,我们发现了拓扑非平凡的玻色模态及其相应的最长费米弧特征。这些结果表明,SiTc 是一个同时承载拓扑费米子和玻色子激发的有前景的候选材料,为探讨电子与声子拓扑之间的相互作用提供了新的机遇。

关键词

引用

@article{arxiv.2506.23598,
  title  = {Topological Electronic and phononic chiral edge states in SiTc Crystal},
  author = {Shivendra Kumar Gupta and Saurabh Kumar Sen and Nagarjuna Patra and Ajit Singh Jhala and Poorva Singh},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2506.23598},
  year   = {2025}
}

备注

8 pages, 7 figures