超高迁移率Weyl半金属中电流喷射畸变的平面霍尔效应
材料科学
2019-02-06 v3
摘要
在具有超高迁移率的非磁性Weyl半金属TaP中观测到巨大的平面霍尔效应（PHE）和各向异性磁电阻（AMR）。垂直电阻率（即施加于垂直于电流方向的平面磁场）远超零场电阻率，从而排除了负纵向磁电阻的可能起源。巨大的PHE/AMR最终归因于源自超高迁移率的巨大各向异性轨道磁电阻。此外，发现迁移率增强的电流喷射效应强烈地使曲线线形发生畸变，并研究了其随磁场和温度变化的演化。尽管巨大的PHE/AMR显示了在自旋电子学中的潜在应用，但增强的电流喷射展现了硬币的另一面，在未来的器件设计中需加以考虑。
引用
@article{arxiv.1807.06229,
title = {Current jetting distorted planar Hall effect in a Weyl semimetal with ultrahigh mobility},
author = {J. Yang and W. L. Zhen and D. D. Liang and Y. J. Wang and X. Yan and S. R. Weng and J. R. Wang and W. Tong and L. Pi and W. K. Zhu and C. J. Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1807.06229},
year = {2019}
}
备注
Physical Review Materials