半填充一维广义 Hubbard 模型的基态相图
强关联电子
2009-11-07 v2
摘要
我们采用密度矩阵正交化群方法研究了具有局部相互作用 U 和最近邻相互作用 V 的，迁移率为 t 的一维半填充 Hubbard 模型的相图。一个大约等于 U/2 的临界线 V_c(U) 将 Mott 绝缘相与电荷密度波相分隔开。当 V > 2t 时，形成束缚电荷激发会使相变从连续相变转为第一阶相变，在一个三临界点 U_t = 3.7t, V_t=2t 处。一种挫荡有效反铁磁自旋耦合会在临界线 V_c(U) 上，对于 U_t < U < 7-8 t 的范围内诱导出键序带相。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0204244,
title = {Ground-state phase diagram of a half-filled one-dimensional extended Hubbard model},
author = {Eric Jeckelmann},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0204244},
year = {2009}
}
备注
4 pages (REVTEX 4), 3 EPS figures, shorter abstract, text and references modified