具有键二聚化的扩展 Hubbard 模型的临界行为

利用基于矩阵乘积态的密度矩阵重整化群（DMRG）技术，我们研究了在半满能带区具有显式键二聚化的一维扩展（$U$-$V$）Hubbard 模型。我们特别研究了随着 $V/U$ 比率增大而在对称保护拓扑绝缘态与电荷密度波绝缘态之间发生的量子相变的性质。具有中心荷 $c=1/2$ 的连续 Ising 相变（弱耦合）临界线终止于一个三临界点，该点属于稀释 Ising 模型的普适类，其 $c=7/10$。我们证明我们的 DMRG 数据与（三临界）Ising 指数完美吻合，例如，序参量 $\beta=1/8$ (1/24) 以及关联长度 $\nu=1$ (5/9)。在三临界 Ising 点之外的强耦合区域，量子相变变为一级相变。