半填充扩展 Hubbard 模型的临界纠缠
强关联电子
2019-05-29 v1
摘要
我们利用密度矩阵重整化群 (DMRG) 技术计算的纠缠熵研究了半填充一维扩展 Hubbard 模型的基态。我们应用一种新颖的曲线拟合与标度方法，精确识别出一个二阶临界点以及一个 Berezinskii-Kosterlitz-Thouless (BKT) 临界点。使用开放边界条件与具有极小截断误差的中等尺寸晶格，我们能够达到与先前作者相近的精度。我们还报道了有限尺寸与边界效应的观测结果，这些效应可通过仔细的钉扎来补救。
引用
@article{arxiv.1901.09151,
title = {Critical Entanglement for the Half-Filled Extended Hubbard Model},
author = {Jon Spalding and Shan-Wen Tsai and David K Campbell},
journal= {arXiv preprint arXiv:1901.09151},
year = {2019}
}
备注
10 pages, 12 figures