一维半填扩展Hubbard模型的基态相图

我们重访了具有局部（U）和最近邻（V）排斥相互作用的一维半填扩展Hubbard模型的基态相图。论文前半部分采用弱耦合重整�群方法（g-性） including 第二阶修正后，显示在U≈2V之间，介于电荷密度波（CDW）和自旋密度波（SDW）之间的存在键电荷密度波（BCDW）相。我们发现平行自旋电子的umklapp散射不利于BCDW态，导致CDW-BCDW和SDW-BCDW连续相变线合并为CDW-SDW一次相变线的bicritical点。在论文后半部分，我们研究了具有额外错位势 \Delta 或键交替 \delta 的扩展Hubbard模型相图。虽然交替势 \Delta 强烈偏好CDW态（即带隙绝缘体），但BCDW相并未完全被破坏，仍占据相图中的有限区域。我们的结果是对Fabrizio、Gogolin和Nersesyan[Phys. Rev. Lett. 83, 2014 (1999)]所述在离子Hubbard模型相图中预测的自发二聚化绝缘态存在天然的推广。键交替 \delta 破坏SDW态并使其转化为BCDW态（或费迪南斯绝缘态）。结果，该模型的相图仅包含分离费迪南斯绝缘态与CDW态的单个临界线。\Delta 或 \delta 的添加将CDW-BCDW相变的普适类从高斯相变改为伊辛相变。