六方氮化硼介电环境中WS$_2$晶体管的电子输运
介观与纳米尺度物理
2015-05-08 v1
摘要
我们首次研究了采用两种不同介电环境制造的WS晶体管的本征电学性质：分别为SiO上的WS和h-BN/SiO上的WS。对由天然和合成WS制备、具有从单层到四层不同厚度、并在300 K至4.2 K宽温度范围内多个晶体管的电学特性进行比较分析，表明WS本征的无序是当前该材料电学性质的限制因素。这些结果揭示了外禀因素（如氧化物介电中的电荷陷阱，其被认为是过渡金属硫族化物中常见观测到的载流子迁移率小值的原因）所起的作用。
引用
@article{arxiv.1505.01613,
title = {Electron transport of WS$_2$ transistors in a hexagonal boron nitride dielectric environment},
author = {Freddie Withers and Thomas Hardisty Bointon and David Christopher Hudson and Monica Felicia Craciun and Saverio Russo},
journal= {arXiv preprint arXiv:1505.01613},
year = {2015}
}
备注
Sci Rep, volume 4, DOI:10.1038/srep04967, Supporting information online