利用低能离子散射解析埋藏界面
材料科学
2023-06-02 v2
摘要
我们研究利用低能离子散射（LEIS）表征超薄膜的埋藏界面。LEIS 谱在所谓的亚表面信号中包含深度分辨信息。然而，亚表面信号与深度组分之间的确切关联仍属未知。因此，迄今为止 LEIS 谱仅能提供关于埋藏界面的定性信息。在本研究中，我们考察 Si-on-W 与 Si-on-Mo 的纳米级薄膜，将模拟数据与 LEIS 谱进行比较。我们提出一种从 LEIS 谱中提取深度敏感组分变化——即解析埋藏界面——的方法，适用于薄膜样品前几纳米。在 Si-on-Mo 的情形中，LEIS 亚表面信号的模拟使得能够获得界面轮廓的定量测量，其与利用 LEIS 层生长轮廓法所确定数值的吻合精度达 0.1 nm。这些结果为进一步拓展 LEIS 用于表征样品前几纳米内埋藏特征铺平了道路。
引用
@article{arxiv.2303.09862,
title = {Resolving buried interfaces with Low Energy Ion Scattering},
author = {Adele Valpreda and Jacobus M. Sturm and Andrey Yakshin and Marcelo Ackermann},
journal= {arXiv preprint arXiv:2303.09862},
year = {2023}
}
备注
25 pages, 11 figures