表面处理铌中迈斯纳屏蔽剖面的深度分辨测量
超导电性
2023-04-07 v1 材料科学
摘要
我们报道了利用低能缪子自旋旋转（LE-SR）对若干表面处理铌样品中迈斯纳屏蔽剖面进行的深度分辨测量。在这些实验中，植入的正缪子其在铌表面下方的停止深度被调节在约 10 nm 至约 150 nm 之间，通过其自旋进动（经由其放射性衰变产物传递）揭示超导元素内部的磁场分布。我们比较了常用于制备加速器束线中超导射频（SRF）腔的不同表面处理如何改变磁场屏蔽。与早前报道 [A. Romanenko et al., Appl. Phys. Lett. 104 072601 (2014)] 相反，我们发现没有任何“反常”修正迈斯纳剖面的证据，所有数据均能被伦敦模型很好地描述。不同表面处理之间屏蔽性质的差异可由材料表面附近掺杂剖面导致的载流子平均自由程变化来解释。
引用
@article{arxiv.2212.11081,
title = {Depth-resolved measurements of the Meissner screening profile in surface-treated Nb},
author = {Ryan M. L. McFadden and Md Asaduzzaman and Thomas Prokscha and Zaher Salman and Andreas Suter and Tobias Junginger},
journal= {arXiv preprint arXiv:2212.11081},
year = {2023}
}
备注
15 pages, 5 figures, 2 tables