表面处理铌材料中迈斯纳屏蔽击穿的深度分辨表征
超导电性
2024-09-19 v1 材料科学
摘要
我们报告了在 Meissner 相极限下对两个超导 Nb 样品磁场屏蔽的直接测量。这两个样品采用了为超导射频腔应用而开发的两种不同表面处理工艺——“基准”处理和氧掺杂（“O-doping”）处理。测量结果表明：1）与“基准”样品相比，“O-doping”样品的屏蔽长度显著更长；2）在 Meissner 相极限附近，屏蔽长度随外加磁场的增加而增加；3）随着材料从 Meissner 相向混合相转变，屏蔽分布的演化；4）在最高外加磁场下，不存在任何屏蔽分布，表明磁通完全进入样品。测量采用 探测核磁共振（-NMR）技术，该技术允许对表面最初 100 nm 内的局部磁场进行深度分辨研究。本研究利用了加拿大 TRIUMF 的 -SRF 束线这一新设施，该设施可提供最高达 200 mT 且平行于样品表面的磁场，以复现 Nb 在 Meissner 击穿极限附近的射频（RF）场。
关键词
引用
@article{arxiv.2405.05451,
title = {Depth-resolved Characterization of Meissner Screening Breakdown in Surface Treated Niobium},
author = {Edward Thoeng and Md. Asaduzzaman and Philipp Kolb and Ryan M. L. McFadden and Gerald D. Morris and John O. Ticknor and Sarah R. Dunsiger and Victoria L. Karner and Derek Fujimoto and Tobias Junginger and Robert F. Kiefl and W. Andrew MacFarlane and Ruohong Li and Suresh Saminathan and Robert E. Laxdal},
journal= {arXiv preprint arXiv:2405.05451},
year = {2024}
}