中红外激光显微镜：一种用于体半导体缺陷研究的新工具
材料科学
2015-01-13 v1 介观与纳米尺度物理
光学
摘要
本文描述的一种无损光学技术是研究半导体缺陷的一种有效新工具。该技术的基本仪器——中红外激光显微镜——对自由载流子聚集敏感，能够研究体半导体中电活性缺陷或杂质的聚集以及半导体结构中的掺杂区域。该显微镜的光束诱导散射模式专为研究复合活性缺陷而设计，但与电子束诱导电流技术不同，它既不需要肖特基势垒或 p-n 结，也不需要特殊的样品制备。
引用
@article{arxiv.1106.0751,
title = {Mid-IR-laser microscopy as a tool for defect investigation in bulk semiconductors},
author = {O. V. Astafiev and V. P. Kalinushkin and V. A. Yuryev},
journal= {arXiv preprint arXiv:1106.0751},
year = {2015}
}
备注
9-th Int. Conf. on Microscopy of Semiconducting Materials, Oxford, UK, 20-23 March 1995