体材料 n-InP 中发光的反常传播
光学
2010-11-10 v1
摘要
将半导体用作闪烁体，并配合晶格匹配的表面光电二极管进行辐射探测，需要高效的发光收集。本文研究了低掺杂和高掺杂的体材料 n-InP，以通过光子循环优化发光传输。
引用
@article{arxiv.1011.2132,
title = {Anomalous propagation of luminescence through bulk n-InP},
author = {Serge Luryi and Oleg G. Semyonov and Arsen Subashiev and Zhichao Chen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1011.2132},
year = {2010}
}
备注
2 pages, 2 figures, Frontiers in Optics, JTuA33, Rochester, NY, September 24-28, 2010