重掺杂体n-InP半导体的辐射效率
材料科学
2015-05-18 v1
摘要
利用不同温度下的光谱和时间分辨光致发光，研究了重掺杂n-InP晶圆中少数载流子的复合。由于莫斯-布尔斯坦效应，样品具有部分透明性，从而能够研究透射发光。透射发光的随时间演化表明，表面复合几乎没有影响，但受到光子回收的强烈影响。衰减时间的温度依赖性表明，在室温下俄歇复合是主要的非辐射过程。评估了不同掺杂水平下的辐射量子效率，在2×10¹⁸ cm⁻³时发现其高达97%，这使得n-InP适用于闪烁体应用。
引用
@article{arxiv.1003.6095,
title = {Radiation efficiency of heavily doped bulk n-InP semiconductor},
author = {Oleg Semyonov and Arsen Subashiev and Zhichao Chen and Serge Luryi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1003.6095},
year = {2015}
}
备注
15 pages, 5 figures