低磁场下高掺杂 InAs 材料中 mid-infrared 光的非各向异性反射
光学
2024-10-10 v1
摘要
我们报告了在室温下观察到由平面高掺杂 InAs 表面在 0.07 T 到 0.16 T 范围内的低磁场下实现的 mid-infrared 光的非各向异性反射。使用 ellipsometry，我们证明了在 Voigt 配置下，反射光的�幅比和相位移为非各向异性。我们还利用傅里叶变换红外光谱表明，非各向异性反射对比（即在相反方向反射率之差）随磁场大小增加而增大，针对 p 极化光。我们的工作是实现非各向异性热发射器和吸收器的实用实现的一步，也可用于远程磁场传感。
引用
@article{arxiv.2410.06596,
title = {Nonreciprocal reflection of mid-infrared light by highly doped InAs at low magnetic fields},
author = {Simo Pajovic and Yoichiro Tsurimaki and Xin Qian and Gang Chen and Svetlana V. Boriskina},
journal= {arXiv preprint arXiv:2410.06596},
year = {2024}
}
备注
Main text: 11 pages, 4 figures. Supplementary material: 5 pages, 8 figures; can be found after the main text and bibliography