用于检测碳化硅样品致命缺陷的相干傅里叶散射测量术

在高功率电子器件中使用碳化硅的兴趣日益浓厚。然而，SiC 晶圆可能包含致命缺陷，这些缺陷会降低制造良率并导致器件陷入意外故障。为了防止这些故障发生，开发能够以无损方式检测、表征和定位这些缺陷的检测工具至关重要。当前的检测技术，如暗场或明场显微镜，能够有效地可视化大多数此类缺陷；然而，在某些情况下，检测会变得困难甚至几乎不可能，例如当缺陷太小或对比度低，或者缺陷深埋在衬底中时。因此，需要一种替代方法来应对这些挑战。在本文中，我们展示了相干傅里叶散射测量术（CFS）的应用，作为传统技术之外的补充工具，以克服 SiC 样品致命缺陷检测中各种棘手的情况。使用扫描电子显微镜（SEM）对相同的缺陷进行了评估，以验证 CFS 的发现。CFS 与 SEM 获得结果的比较表现出高度的一致性。