弹性中红外光散射：半导体材料中大尺度电活性缺陷显微术的基础

提出了一种中红外激光显微术方法，用于研究半导体中大尺度电活性和复合活性缺陷，以及微电子和光伏产业中半导体材料与结构的无损检测。这一发展的基础建立在对半导体中低角中红外光散射的广泛研究之上。该技术思路的核心是在扫描中红外激光显微镜中应用暗场方法对散射光进行空间滤波。这种方法能够可视化大尺度电活性缺陷，即富含电离电活性中心的区域。在探测中红外激光束内小体积中过剩载流子的光激发，使得能够可视化大尺度复合活性缺陷，类似于在光学或电子束诱导电流方法中揭示的那些缺陷。本文详细介绍了这两种扫描中红外激光显微术方法，以及标准低角中红外光散射方法本身所用技术的总结。除了直接观测技术外，本文还讨论了与中红外激光显微术相关的缺陷成分分析方法。