高纯液相外延GaAs的少数载流子扩散长度
材料科学
2007-05-23 v3
摘要
少数载流子的扩散长度L p,n是半导体材料中的一个重要表征参数，在构建太阳能电池（Hovel 1975）、双异质结激光器（Casey and Panish 1978）和双极型晶体管等器件时尤为关键。它们的效率主要取决于少数载流子穿过中性材料扩散至p-n结或肖特基势垒并与多数载流子复合的能力。因此，人们已经在多种半导体材料中测量了扩散长度。本文的GaAs材料由澳大利亚核科学与技术组织通过液相外延（LPE）生长。在高纯度p型和n型LPE-GaAs样品上测得的扩散长度比以往任何报告的都要长。p型和n型GaAs的少数载流子扩散长度测量是利用电子束诱导电流（EBIC）技术进行的。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0409176,
title = {Minority Carrier Diffusion Lengths for High Purity Liquid Phase Epitaxial GaAs},
author = {D. Alexiev and D. A. Prokopovich and L. Mo},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0409176},
year = {2007}
}
备注
Replaced due to old version incorrectly placed on the ArXiv