用于焦平面阵列应用的低掺杂 n-InGaAs 中的少子扩散长度与迁移率
材料科学
2017-07-26 v1
摘要
利用一组由扩散长度量级的不同间距分隔的长而薄的扩散结二极管，针对两种不同掺杂浓度的 n-InGaAs 样品提取了空穴扩散长度。描述了该方法，包括随后的分析，该分析得出在室温下，对于 5 - 9 x 10^15 cm-3 范围内的掺杂浓度，扩散长度在 70 - 85 um 之间。该分析还提供了对少子迁移率的深入理解，这是一个文献中不常报道的参数。对于上述掺杂范围，报道了量级在 500 - 750 cm2/Vs 的空穴迁移率，这与相同掺杂量级下 p-InGaAs 中的多数空穴迁移率相当，尽管更长。对于 2.7 um 厚的 InGaAs，从随后的分析中还提取了 (0.5-0.2)x10^-10 cm^-3s^-1 的辐射复合系数。还给出了重空穴和轻空穴扩散的初步证据。然后将具有 25 和 15 um 间距的 InP/InGaAs p-i-n 光电探测器的暗电流校准至器件模拟，并与提取的扩散长度和掺杂浓度相关联。介于 90-200 us 之间的有效肖克利-里德-霍尔寿命为这些结构的暗电流提供了最佳拟合。
引用
@article{arxiv.1707.08023,
title = {Minority carrier diffusion lengths and mobilities in low-doped n-InGaAs for focal plane array applications},
author = {Alexandre W. Walker and Mike W. Denhoff},
journal= {arXiv preprint arXiv:1707.08023},
year = {2017}
}
备注
9 pages, 5 figures