磁性半导体合金的异常晶格参数
材料科学
2015-05-13 v1 其他凝聚态物理
摘要
过渡金属(TM)添加到III-V族半导体中会彻底改变其电子、磁性和结构性质。与传统半导体合金不同，磁性半导体合金（包括稀释浓度的合金，即稀磁半导体DMS）的晶格参数不能由组分唯一确定。通过第一性原理计算，我们发现磁矩与阴离子-TM键长之间存在直接相关性。我们推导出一个简单公式，通过同时考虑组分和磁矩来确定特定磁性半导体的晶格参数。该公式准确预测了AlMnN、AlCrN、GaMnN、GaCrN、GaCrAs和GaMnAs合金的晶格参数行为。这种新的依赖关系可以解释一些迄今令人困惑的实验观察到的异常现象，并激发其他类型的理论和实验研究。
引用
@article{arxiv.0902.4368,
title = {Anomalous Lattice Parameter of Magnetic Semiconductor Alloys},
author = {Clovis Caetano and Luiz G. Ferreira and Marcelo Marques and Lara K. Teles},
journal= {arXiv preprint arXiv:0902.4368},
year = {2015}
}
备注
3 figures