掺杂磁半导体 (Ga,Mn)As 中的晶格常数
材料科学
2009-11-10 v1
摘要
我们采用密度泛函计算方法研究了 (Ga,Mn)As 掺杂物中各种天然缺陷对晶格常数组成依赖性的影响。完美混合晶体的晶格常数随 Mn 浓度的变化影响不大。如果有些 Mn 原子占据空位位置，晶格参数会增大。如果存在 As 反位缺陷，同样会导致晶格常数的增加。对于由于这两种捐电子导致完全补偿的材料，能够获得与观测结果一致的组成依赖性。晶格常数的增加与补偿程度相关联：补偿程度较低的材料应具有接近 GaAs 晶体晶格常数的晶格常数。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0302150,
title = {Lattice constant in diluted magnetic semiconductors (Ga,Mn)As},
author = {J. Masek and J. Kudrnovsky and F. Maca},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0302150},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 3 figures