MgB2薄膜中涡旋态的I-V特性
超导电性
2008-09-08 v2
摘要
研究了不同MgB2薄膜在平行于c轴的不同磁场下的电流-电压(I-V)特性。在μ0H介于0到5T的磁场范围内，I-V等温线中观测到了涡旋液-玻璃转变。一致地，在不同温度下测量的I-V曲线在准二维涡旋玻璃理论框架内表现出标度行为。然而，在μ0H ≥ 5T时，在最低温度T=1.7K下仍观测到有限耗散，且I-V等温线不遵循任何已知维度的标度律。我们认为这可能是由σ带涡旋和π带准粒子的混合引起的。有趣的是，零磁场下的I-V曲线仍可根据准二维涡旋玻璃形式进行标度，表明持续电流产生的自场与外磁场具有等效效应。
引用
@article{arxiv.0704.0126,
title = {I-V characteristics of the vortex state in MgB2 thin films},
author = {Huan Yang and Ying Jia and Lei Shan and Yingzi Zhang and Hai-Hu Wen and Chenggang Zhuang and Zikui Liu and Qi Li and Yi Cui and Xiaoxing Xi},
journal= {arXiv preprint arXiv:0704.0126},
year = {2008}
}
备注
7 pages, 9 figures