MgB2薄膜中电阻率的标度与涡旋导向运动
超导电性
2007-05-23 v1
摘要
在不同超导转变宽度的MgB2薄膜上测量了纵向和横向电压。研究在零和非零外磁场下进行。在零外磁场下，临界温度附近观察到非零横向电压，而远离Tc时该电压变为零。在磁场中，它变为一个相对于磁场方向为偶函数的横向电压。随着磁场的增加，通常的霍尔电压开始出现，在大磁场下偶电压消失，仅可测量到霍尔电压（即横向偶电压随着磁场和输运电流的增加而被抑制）。观察到横向和纵向电阻率之间的新标度关系。这种相关性不仅在零磁场下有效，在检测到横向偶电压的非零磁场下也有效。讨论了试图解释观察结果的几种模型。其中最有希望的似乎是涡旋的导向运动，尽管需要进一步的理论工作来证实这一点。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0701780,
title = {Scaling of resistivities and guided vortex motion in MgB2 thin films},
author = {P. Vasek},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0701780},
year = {2007}
}