利用高电子迁移率晶体管感测浮在氦面上的少量电子
介观与纳米尺度物理
2024-12-04 v1
摘要
我们报道了使用基于商用 GaAs 高电子迁移率晶体管（HEMT）构建的专用低频放大电路，对浮在氦表面上的少量电子进行低频测量。我们将该电路与电荷耦合器（CCD）集成，用于在氦面上运输电子并表征其性能。我们显示，该电路在 102 kHz 处的信噪比（SNR）为 2，较以往实现提升了一个数量级，为少量电子检测提供了具有竞争力的替代方案。
引用
@article{arxiv.2412.02018,
title = {Sensing Few Electrons Floating on Helium with High-Electron-Mobility Transistors},
author = {Mayer M. Feldman and Gordian Fuchs and Tiffany Liu and Luke A. D'Imperio and M. David Henry and Eric A. Shaner and Stephen A. Lyon},
journal= {arXiv preprint arXiv:2412.02018},
year = {2024}
}