用于大型半导体暗物质探测器的、电离分辨率优于100 eVee的基于HEMT的低温电荷放大器
仪器与探测器
2019-06-20 v4 天体物理仪器与方法
摘要
我们展示了与CDMS-II探测器耦合的、基于HEMT的低温电荷放大器的基线电离分辨率测量结果。该放大器旨在使大型半导体暗物质探测器能够在低质量WIMP产生的低反冲能量下保持本底甄别能力。我们测得校准后的基线电离分辨率为。据我们所知，这是在如此大型（电容约150 pF）的辐射探测器中实现的最佳直接电离分辨率。
引用
@article{arxiv.1611.09712,
title = {A HEMT-Based Cryogenic Charge Amplifier with sub-100 eVee Ionization Resolution for Massive Semiconductor Dark Matter Detectors},
author = {A. Phipps and A. Juillard and B. Sadoulet and B. Serfass and Y. Jin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1611.09712},
year = {2019}
}
备注
Published in Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A