一种直接纳入极化电荷的基于表面势的 GaN HEMT 紧凑模型
介观与纳米尺度物理
2013-02-08 v2
摘要
本文提出了一种在晶体管紧凑模型中纳入异质结处极化电荷的方法。通过将极化面电荷作为 Dirac delta 函数包含在内，求解 Poisson 方程以获得表面势的闭式方程。基于表面势并纳入极化电荷的晶体管紧凑模型描述了器件工作的导通态和截止态机制。这种在紧凑模型中纳入极化电荷的新方法有助于建立与晶体管材料特性的直接联系。该模型生成的电流 - 电压 (I-V) 曲线与 GaN HEMT 的实验数据吻合良好。
引用
@article{arxiv.1302.1243,
title = {A Surface-Potential Based Compact Model for GaN HEMTs Directly Incorporating Polarization Charges},
author = {Raj K. Jana and Huili and Xing and Debdeep Jena},
journal= {arXiv preprint arXiv:1302.1243},
year = {2013}
}
备注
This paper has been withdrawn by the author due to other reasons